[发明专利]一种一二次融合配电开关高频涌流辐射磁场仿真测试方法在审
申请号: | 202010397776.7 | 申请日: | 2020-05-12 |
公开(公告)号: | CN111579901A | 公开(公告)日: | 2020-08-25 |
发明(设计)人: | 段建东;路文超;李再男 | 申请(专利权)人: | 西安理工大学 |
主分类号: | G01R31/00 | 分类号: | G01R31/00;G01R31/327;G06F30/20 |
代理公司: | 西安弘理专利事务所 61214 | 代理人: | 弓长 |
地址: | 710048 陕*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | 本发明公开了一种一二次融合配电开关高频涌流辐射磁场仿真测试方法,包括10kV配电系统高频涌流模型、柱上开关及馈线自动化装置(FTU)等效模型、辐射电磁场计算模型。通过模拟10kV配电系统投切电容器组,产生的高频涌流干扰沿线路附近空间辐射到互感器和FTU。通过对辐射至互感器和FTU的信号进行分析,研究互感器和FTU侧对于该辐射信号的相应,对于一二次融合柱上开关的设计防护及电网的稳定运行有非常重要的意义。 | ||
搜索关键词: | 一种 二次 融合 配电 开关 高频 涌流 辐射 磁场 仿真 测试 方法 | ||
【主权项】:
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