[发明专利]一种平面超导纳米桥结的制备方法有效
| 申请号： | 202010397024.0 | 申请日： | 2020-05-12 |
| 公开（公告）号： | CN111682096B | 公开（公告）日： | 2022-06-21 |
| 发明（设计）人： | 应利良;张雪;任洁;王镇 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | H01L39/02 | 分类号： | H01L39/02;H01L39/24;B82Y40/00;B82Y10/00 |
| 代理公司： | 上海泰能知识产权代理事务所(普通合伙) 31233 | 代理人： | 宋旭;黄志达 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种平面超导纳米桥结的制备方法，在衬底表面进行光刻形成图案，然后沉积金属薄膜；利用离子束刻蚀金属，金属因反溅射现象沿着光刻胶形成侧壁，去胶，即得纳米桥，桥的宽度即为反溅射的金属薄膜厚度，因此可以超越光刻极限；沉积超导薄膜、光刻，刻蚀形成桥两端的电极，即得。本发明具有低成本，易集成，高精度等优势。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 平面 超导 纳米 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院上海微系统与信息技术研究所，未经中国科学院上海微系统与信息技术研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202010397024.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
