[发明专利]一种原子级表面及结构超短脉冲光高效加工方法有效
| 申请号： | 202010390524.1 | 申请日： | 2020-05-11 |
| 公开（公告）号： | CN111627800B | 公开（公告）日： | 2023-10-24 |
| 发明（设计）人： | 房丰洲;王金石 | 申请（专利权）人： | 天津大学 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;B23K26/36;B23K26/362;B23K26/402 |
| 代理公司： | 天津盛理知识产权代理有限公司 12209 | 代理人： | 陈娟 |
| 地址： | 300072*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种原子级表面及结构超短脉冲光高效加工方法，利用光子能量切断材料表面原子之间的化学键，进行深度方向原子层量级可控材料去除；通过掩模与光束能量中心对准保证待加工结构的横向尺寸精度与加工均匀性；同时，采用多路分束并行加工满足大规模量产的高效率需求。本发明提出了一种基于光学超短脉冲的原子级结构表面加工方法，根据待加工材料的物化属性有针对性地选择光源波长，提高原子层去除的极限精度，避免热过程导致的晶格损伤。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 原子 表面 结构 超短 脉冲 高效 加工 方法 | ||
【主权项】：
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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