[发明专利]Bi2在审

专利信息
申请号: 202010346640.3 申请日: 2020-04-27
公开(公告)号: CN111653432A 公开(公告)日: 2020-09-11
发明(设计)人: 李森林;程佳瑞;亢艮雷;段传虎 申请(专利权)人: 江苏镭明新材料科技有限公司
主分类号: H01G9/20 分类号: H01G9/20
代理公司: 北京劲创知识产权代理事务所(普通合伙) 11589 代理人: 张铁兰
地址: 223800 江苏省宿迁*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明公开了Bi2S3量子点敏化TiO2薄膜电极的制备方法,首先通过水热法制得TiO2纳米棒薄膜,然后通过水热法使Bi单质生长在TiO2纳米棒薄膜表面,最后通过原位气相法制备Bi2S3敏化TiO2纳米棒薄膜。本发明的有益效果是:硫化铋敏化的二氧化钛纳米棒薄膜可以通过原位气相热硫化反应制备得到,制备工艺简单,取材广泛,成本低廉,有利于大规模生产。通过敏化使二氧化钛在可见光区具有高的光伏响应,随着硫化铋敏化时间的增加,硫化铋量子点在二氧化钛薄膜上的负载会逐渐增多。硫化铋量子点可以提高二氧化钛薄膜对太阳光的利用率,从而提高二氧化钛的光电性能,在制备时中未使用H2S气体,因而对人体无毒害且不易爆炸。
搜索关键词: bi base sub
【主权项】:
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