[发明专利]Bi2 在审
| 申请号： | 202010346640.3 | 申请日： | 2020-04-27 |
| 公开（公告）号： | CN111653432A | 公开（公告）日： | 2020-09-11 |
| 发明（设计）人： | 李森林;程佳瑞;亢艮雷;段传虎 | 申请（专利权）人： | 江苏镭明新材料科技有限公司 |
| 主分类号： | H01G9/20 | 分类号： | H01G9/20 |
| 代理公司： | 北京劲创知识产权代理事务所(普通合伙) 11589 | 代理人： | 张铁兰 |
| 地址： | 223800 江苏省宿迁*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | bi base sub | ||
1.Bi2S3量子点敏化TiO2薄膜电极的制备方法，其特征在于Bi2S3量子点敏化TiO2薄膜电极的制备方法按以下步骤实现：
步骤一：通过水热反应制得TiO2纳米棒薄膜；
步骤二：将所述步骤一制得产物通过水热反应使Bi单质生长在TiO2纳米棒薄膜表面；
步骤三：将所述步骤二制得产物通过原位气相法制备Bi2S3敏化TiO2纳米棒薄膜。
2.根据权利要求1所述的Bi2S3量子点敏化TiO2薄膜电极的制备方法，其特征在于：所述步骤一中Ti的前驱体溶液是总体积为30ml的去离子水和浓盐酸混合溶液搅拌均匀，按体积比5:1-1:5的比例，再加入钛酸丁酯(C16H36O4Ti)搅拌均匀，C16H36O4Ti的体积为0.3ml-0.7ml，搅拌时间为2h。
3.根据权利要求1所述的一种硫化铋复合二氧化钛纳米棒薄膜的制备方法，其特征在于：所述步骤一中水热反应的基底为掺杂氟的SnO2透明导电玻璃(FTO导电玻璃)，需要在体积比为1:1的乙醇和丙酮混合溶液中超声清洗30min。
4.根据权利要求1所述的Bi2S3量子点敏化TiO2薄膜电极的制备方法，其特征在于：所述步骤一的水热反应具体为，将Ti的前驱体溶液倒入高压反应釜中，然后FTO导电玻璃导放入反应釜中，反应釜密封后放入炉子中进行水热反应。
5.根据权利要求1所述的Bi2S3量子点敏化TiO2薄膜电极的制备方法，其特征在于：将所述步骤一中制得的FTO导电玻璃导电面朝下，侧放入高压反应釜中，导电面与反应釜内衬成45°角。
6.根据权利要求5所述的Bi2S3量子点敏化TiO2薄膜电极的制备方法，其特征在于：所述步骤一水热反应温度为130℃-200℃，时间为4h-20h。
7.根据权利要求3所述的Bi2S3量子点敏化TiO2薄膜电极的制备方法，其特征在于：所述步骤一清洗过程为将薄膜从反应釜取出后用去离子水冲洗3次，然后用无水乙醇清洗3次，最后进行在60℃条件下干燥8h。
8.根据权利要求7所述的Bi2S3量子点敏化TiO2薄膜电极的制备方法，其特征在于：所述薄膜干燥时需要进行热处理，所述热处理过程具体位置，为将干燥后的薄膜在300℃-550℃下保温0.5h-2h,升温速度为2℃/min-5℃/min,降温过程为自然冷却。
9.根据权利要求1所述的Bi2S3量子点敏化TiO2薄膜电极的制备方法，其特征在于：所述步骤二中的水热反应为，将步骤一制得产物导电面朝下，侧放入高压反应釜中，导电面与反应釜内衬成45°角，将Bi(NO3)3·5H2O溶解到乙二醇溶液后，倒入所述反应釜中密封加热，所述Bi(NO3)3·5H2O溶液浓度为0.5mol/L-2mol/L；反应温度为200℃-300℃，反应时间为3h-8h。
10.根据权利要求1所述的Bi2S3量子点敏化TiO2薄膜电极的制备方法，其特征在于：所述步骤三的原位气相法具体为，将步骤二制得产物与硫粉放置于密封真空管内加温，所用的硫粉为升华硫，温度为300℃-550℃，时间为10min-60min。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于江苏镭明新材料科技有限公司，未经江苏镭明新材料科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202010346640.3/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 一种Nd<sub>2</sub>O<sub>3</sub>-Yb<sub>2</sub>O<sub>3</sub>改性的La<sub>2</sub>Zr<sub>2</sub>O<sub>7</sub>-(Zr<sub>0.92</sub>Y<sub>0.08</sub>)O<sub>1.96</sub>复相热障涂层材料
- 无铅[(Na<sub>0.57</sub>K<sub>0.43</sub>)<sub>0.94</sub>Li<sub>0.06</sub>][(Nb<sub>0.94</sub>Sb<sub>0.06</sub>)<sub>0.95</sub>Ta<sub>0.05</sub>]O<sub>3</sub>纳米管及其制备方法
- 磁性材料HN(C<sub>2</sub>H<sub>5</sub>)<sub>3</sub>·[Co<sub>4</sub>Na<sub>3</sub>(heb)<sub>6</sub>(N<sub>3</sub>)<sub>6</sub>]及合成方法
- 磁性材料[Co<sub>2</sub>Na<sub>2</sub>(hmb)<sub>4</sub>(N<sub>3</sub>)<sub>2</sub>(CH<sub>3</sub>CN)<sub>2</sub>]·(CH<sub>3</sub>CN)<sub>2</sub> 及合成方法
- 一种Bi<sub>0.90</sub>Er<sub>0.10</sub>Fe<sub>0.96</sub>Co<sub>0.02</sub>Mn<sub>0.02</sub>O<sub>3</sub>/Mn<sub>1-x</sub>Co<sub>x</sub>Fe<sub>2</sub>O<sub>4</sub> 复合膜及其制备方法
- Bi<sub>2</sub>O<sub>3</sub>-TeO<sub>2</sub>-SiO<sub>2</sub>-WO<sub>3</sub>系玻璃
- 荧光材料[Cu<sub>2</sub>Na<sub>2</sub>(mtyp)<sub>2</sub>(CH<sub>3</sub>COO)<sub>2</sub>(H<sub>2</sub>O)<sub>3</sub>]<sub>n</sub>及合成方法
- 一种(Y<sub>1</sub>-<sub>x</sub>Ln<sub>x</sub>)<sub>2</sub>(MoO<sub>4</sub>)<sub>3</sub>薄膜的直接制备方法
- 荧光材料(CH<sub>2</sub>NH<sub>3</sub>)<sub>2</sub>ZnI<sub>4</sub>
- Li<sub>1.2</sub>Ni<sub>0.13</sub>Co<sub>0.13</sub>Mn<sub>0.54</sub>O<sub>2</sub>/Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>复合材料的制备方法
