[发明专利]用于熔接和剥离的低密度硅氧化物的方法和结构

摘要

本文中描述的是一种接合以及/或者剥离基底的方法。在一个实施方案中，要被接合的基底的表面中的至少一个包括氧化物。在一个实施方案中，两个基底的表面均包括氧化物。然后，可以利用湿蚀刻通过蚀刻掉已经接合的层来剥离基底。在一个实施方案中，利用熔接工艺来接合两个基底，至少一个基底具有硅氧化物表面。在一种示例性蚀刻中，利用稀氢氟酸(DHF)蚀刻来蚀刻接合的硅氧化物表面，从而允许剥离两个接合的基底。在另一个实施方案中，硅氧化物可以是低密度硅氧化物。在一个实施方案中，两个基底都可以具有可以被熔接在一起的低密度硅氧化物的表面层。