[发明专利]红外焦平面器件用高密度微细铟柱阵列顶端凹点成型方法有效
| 申请号： | 202010324633.3 | 申请日： | 2020-04-23 |
| 公开（公告）号： | CN111584368B | 公开（公告）日： | 2022-12-30 |
| 发明（设计）人： | 朱建妹 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海技术物理研究所 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48;H01L27/14 |
| 代理公司： | 上海沪慧律师事务所 31311 | 代理人： | 郭英 |
| 地址： | 200083 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种红外焦平面器件用高密度微细铟柱阵列顶端凹点成型方法，该方法通过白宝石片上制备锡尖柱阵列工艺和芯片上制备铟柱阵列工艺，通过一定压力将锡尖柱阵列对准铟柱阵列进行挤压，芯片铟柱阵列顶端留下压痕凹点成型。该发明特点是；工艺成熟，使用新颖，很好的解决了红外焦平面器件混成互连的困难和问题，而且可以更好的满足面阵器件的要求。 | ||
| 搜索关键词： | 红外 平面 器件 高密度 微细 阵列 顶端 成型 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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