[发明专利]片上集成慢光波导的半导体激光器有效

专利信息
申请号: 202010324587.7 申请日: 2020-04-23
公开(公告)号: CN111478180B 公开(公告)日: 2022-06-10
发明(设计)人: 姚丹阳;张春福;郝跃;陈大正;成亚楠 申请(专利权)人: 西安电子科技大学
主分类号: H01S5/20 分类号: H01S5/20;H01S5/22;H01S5/18;H01S5/34
代理公司: 陕西电子工业专利中心 61205 代理人: 王品华
地址: 710071*** 国省代码: 陕西;61
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摘要: 发明公开了一种片上集成慢光波导的半导体激光器,主要解决现有半导体激光器出射光束远场发散的问题。其包括:激光器有源区(1)、衬底(2),转向结构(3)和慢光波导结构(4),该激光器有源区(1)位于衬底(2)外延层方向的一侧,该转向结构(3)位于衬底(2)外延层方向的另一侧,用于改变激光器有源区垂直出射的激光光束传播方向;该慢光波导结构(4)位于衬底(2)沿脊宽方向的一侧,用于实现相干光束阵列的发射,降低光束远场发散角。本发明有助于大幅度降低半导体激光器的远场发散角,从而提高半导体光源的系统集成度,可用于激光红外干扰,片上光互联及空间光通信。
搜索关键词: 集成 波导 半导体激光器
【主权项】:
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