[发明专利]双端静态随机存取存储器在审
| 申请号： | 202010321143.8 | 申请日： | 2020-04-22 |
| 公开（公告）号： | CN112309462A | 公开（公告）日： | 2021-02-02 |
| 发明（设计）人： | 于殿圣;崔壬汾;廖忠志;林秉谦 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/417 | 分类号： | G11C11/417 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 谢强;黄艳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种双端静态随机存取存储器，包括基板；基板上的第一及第二主动区，大致上沿第一方向呈纵向指向；第一及第二栅极电极，大致上沿垂直于第一方向的第二方向呈纵向指向。第一及第二栅极电极分别接合第一及第二主动区以形成第一及第二传输闸晶体管。双端静态随机存取存储器还包括第一栅极接点，被设置于第一栅极电极上并与其电性连接，以及包括第一源极/漏极接点，大致上沿第二方向呈纵向指向。第一源极/漏极接点直接接触第一及第二传输闸晶体管的源极/漏极特征。第一栅极接点的一部分及第一源极/漏极接点的一部分自基板的顶部表面处于相同垂直层位，且沿第一方向对准。 | ||
| 搜索关键词： | 静态 随机存取存储器 | ||
【主权项】：
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