[发明专利]一种兼具正负电卡效应的钛酸铋钠基薄膜及其制备方法有效

专利信息
申请号: 202010320707.6 申请日: 2020-04-22
公开(公告)号: CN111525021B 公开(公告)日: 2023-08-22
发明(设计)人: 杨长红;冯超;钱进;林秀娟;程振祥;黄世峰 申请(专利权)人: 济南大学
主分类号: H10N10/853 分类号: H10N10/853;H10N10/855;H10N10/01;C23C28/00;C23C18/12;C23C14/18;C23C14/35;B05D1/00;B05D3/02;B05D7/24;C01G29/00
代理公司: 济南泉城专利商标事务所 37218 代理人: 李桂存
地址: 250022 山东*** 国省代码: 山东;37
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摘要: 发明属于电子功能材料与器件领域,具体涉及一种兼具正负电卡效应的钛酸铋钠基薄膜及其制备方法。本发明的钛酸铋钠基薄膜由基片、底电极、铁电薄膜层和顶电极组成,所述薄膜的组成通式为Na0.5×aBi0.5×b(Ti1‑x‑yWxFey)O3,其中,1.01≤a≤1.02,1.01≤b≤1.04,0.01≤x≤0.02,0.01≤y≤0.02。在143℃附近,正绝热温变和等温熵变的峰值为目前报导中最大值:∆T~55 K,∆S~64 J K‑1 kg‑1;在同一制冷循环内,54℃附近,负绝热温变和等温熵变的峰值为:∆T~‑17 K,∆S~‑26 J K‑1 kg‑1。通过化学溶液法制备的该钛酸铋钠基薄膜具有电卡性能优异、环境友好、工艺简单以及成本低等优点,在芯片制冷、传感器及电子器件等温度控制领域具有广泛的应用前景。
搜索关键词: 一种 兼具 负电 效应 钛酸铋钠基 薄膜 及其 制备 方法
【主权项】:
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