[发明专利]带有负磁导率材料的ISM频段微带阵列天线及制作方法在审
| 申请号： | 202010318447.9 | 申请日： | 2020-04-21 |
| 公开（公告）号： | CN111509390A | 公开（公告）日： | 2020-08-07 |
| 发明（设计）人： | 靳钊;蔺琛智;郭晨;李璐;高尧;贺之莉;薛晶晶 | 申请（专利权）人： | 长安大学 |
| 主分类号： | H01Q5/50 | 分类号： | H01Q5/50;H01Q15/00 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 李晓晓 |
| 地址： | 710064*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种带有负磁导率材料的ISM频段微带阵列天线及制作方法，包括第一介质基板、第二介质基板和SMA同轴接头；第一介质基板与第二介质基板之间设置空气腔；第一介质基板中心为空且在空心四周的上表面设置开口谐振环阵列，第二介质基板的上表面设置微带馈线、若干U型槽微带天线和馈电网络；若干U型槽微带天线均与馈电网络一端连接，馈电网络的另一端通过微带馈线连接SMA同轴接头；第二介质基板的下表面设置金属接地板。通过周期排列开口谐振环构成负磁导率材料，抑制两侧辐射的电磁波的时变磁场，有效地减小远场辐射的半功率波束宽度，提升前向辐射的增益；利用U型槽微带天线产生多个谐振点，将多个谐振点连接实现宽频带；能够有效提升微带阵列天线的带宽和增益。 | ||
| 搜索关键词： | 带有 磁导率 材料 ism 频段 微带 阵列 天线 制作方法 | ||
【主权项】：
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