[发明专利]一种类金刚石薄膜的制备方法有效
| 申请号： | 202010317118.2 | 申请日： | 2020-04-21 |
| 公开（公告）号： | CN111378947B | 公开（公告）日： | 2021-01-05 |
| 发明（设计）人： | 夏原;许亿;李光 | 申请（专利权）人： | 中国科学院力学研究所 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/34;C23C14/06 |
| 代理公司： | 北京和信华成知识产权代理事务所(普通合伙) 11390 | 代理人： | 胡剑辉 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： |
本发明实施例涉及薄膜制备技术领域，本发明实施例公开了一种类金刚石薄膜的制备方法，包括：将薄膜载体置于真空环境并通入Ar；外加偏压电源进行辉光清洗；更换Ne惰性气体作为工作气体，并给碳靶提供靶材电压；外加复合直流HiPIMS电源给薄膜载体提供负偏压；调整完成HiPIMS电源与复合直流HiPIMS电源的波形匹配，并依据预定薄膜沉积时间完成薄膜沉积，获得目标产物类金刚石薄膜。本发明采用复合直流HiPIMS作为偏压，并与高功率脉冲磁控溅射电源匹配，实现对HiPIMS电源在脉冲期间和脉冲结束后等离子体能量的单独调控与优化，进而在不破坏sp |
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| 搜索关键词： | 种类 金刚石 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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