[发明专利]一种低压高精度CMOS带隙基准电路在审
| 申请号： | 202010308913.5 | 申请日： | 2020-04-19 |
| 公开（公告）号： | CN113534881A | 公开（公告）日： | 2021-10-22 |
| 发明（设计）人： | 苏杰 | 申请（专利权）人： | 江苏齐芯微电子有限公司 |
| 主分类号： | G05F1/567 | 分类号： | G05F1/567 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 226000 江苏省南*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明专利发明公开了一种低压高精度CMOS带隙基准电路，包括：一启动电路，保证系统在上电时能稳定工作；一偏置电路，为所述运放提供偏置电流；一核心基准电路，运用了电流反馈、电阻二次分压和一级温度补偿技术，利用斩波调制技术消除了反馈运放的失调电压；本发明一种低压高精度CMOS带隙基准电路，利用斩波调制技术有效减小了带隙基准源中运放的失调电压所引起的误差，大大提高了基准源的精度，结构简单，调整方便，非常符合高精度的应用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 低压 高精度 cmos 基准 电路 | ||
【主权项】：
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