[发明专利]一种新型铁电涡旋态纳米岛阵列的制备方法有效
| 申请号： | 202010280816.X | 申请日： | 2020-04-10 |
| 公开（公告）号： | CN111547676B | 公开（公告）日： | 2023-06-02 |
| 发明（设计）人： | 高兴森;杨文达;田国 | 申请（专利权）人： | 华南师范大学 |
| 主分类号： | H10B53/30 | 分类号： | H10B53/30;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 广州新诺专利商标事务所有限公司 44100 | 代理人： | 辜丹芸 |
| 地址： | 510006 广东省广州市广州大学城*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 一种新型铁电涡旋态纳米岛阵列的制备方法，包括以下步骤：S1：采用脉冲激光沉积法在(001)方向的STO单晶衬底上沉积一层SRO导电层作为底电极；S2：采用脉冲激光沉积法在SRO导电层上沉积一层菱方相BFO薄膜；S3：在S2所述的BFO薄膜表面铺展单层PS小球作为掩模板，再用氧等离子体刻蚀处理，然后置于离子束刻蚀机中进行刻蚀，最后去除残留的单层PS小球掩模板，得到菱方相BFO纳米岛阵列；S4：通过电场调控获得涡旋态拓扑畴结构的铁电涡旋态纳米岛阵列。上述方法制得的菱方相BFO纳米岛阵列在外加电场的调控下实现涡旋态拓扑畴结构与普通畴结构的转化，利用其导电性差异实现数据的存储，具有高度的稳定性和良好的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 新型 涡旋 纳米 阵列 制备 方法 | ||
【主权项】：
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