[发明专利]一种新型光敏铁电拓扑畴纳米岛的制备方法有效
| 申请号： | 202010280810.2 | 申请日： | 2020-04-10 |
| 公开（公告）号： | CN111554683B | 公开（公告）日： | 2023-08-22 |
| 发明（设计）人： | 高兴森;杨文达;田国 | 申请（专利权）人： | 华南师范大学 |
| 主分类号： | H10B53/30 | 分类号： | H10B53/30;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 广州新诺专利商标事务所有限公司 44100 | 代理人： | 辜丹芸 |
| 地址： | 510006 广东省广州市广州大学城*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： |
一种新型光敏铁电拓扑畴纳米岛的制备方法，其制备方法包括以下步骤：S1：采用脉冲激光沉积法在STO(SrTiO |
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| 搜索关键词： | 一种 新型 光敏 拓扑 纳米 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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