[发明专利]一种降低高速开关对地寄生电容的制造方法在审
| 申请号： | 202010271724.5 | 申请日： | 2020-04-09 |
| 公开（公告）号： | CN111446203A | 公开（公告）日： | 2020-07-24 |
| 发明（设计）人： | 吕宇强 | 申请（专利权）人： | 帝奥微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762;H01L21/8234 |
| 代理公司： | 上海宏威知识产权代理有限公司 31250 | 代理人： | 赵芳梅 |
| 地址： | 210000 江苏省南通*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种降低高速开关对地寄生电容的制造方法，包括：S1、形成MOS开关管的N型埋层、深N阱和有源区以标准化N阱和P阱的注入和扩散；S2、淀积第一薄膜于深N阱外做为深沟槽的硬掩模，涂覆光刻胶于第一薄膜进行深沟槽图形光刻后，以形成深沟槽刻蚀窗口，其中，深沟槽刻蚀窗口内包含MOS开关管的体区与隔离深N阱的PN结侧壁及隔离深N阱与衬底的PN结边界的侧壁；S3、移除光刻胶和/或硬掩模，然后进行刻蚀或者化学机械平坦化；S4、进行标准CMOS工艺的金属后道工艺为通过热生长栅氧化层及淀积多晶硅，以形成源漏区域和金属硅化物。本发明提出用深沟槽的介质电容取代了原有的PN结侧壁电容，从而降低整体MOS开关管对地寄生电容。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 降低 高速 开关 寄生 电容 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
