[发明专利]半导体器件在审
| 申请号： | 202010263923.1 | 申请日： | 2020-04-07 |
| 公开（公告）号： | CN112750492A | 公开（公告）日： | 2021-05-04 |
| 发明（设计）人： | 宋清基 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | G11C29/40 | 分类号： | G11C29/40 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理有限公司 11363 | 代理人： | 许伟群;周晓雨 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明公开一种半导体器件，其包括行地址生成电路、第一区域和第二区域。行地址生成电路被配置为从激活信号和第一存储体地址生成第一行地址，并且被配置为从激活信号和第二存储体地址生成第二行地址。第一区域由第一行地址和内部地址激活。第二区域由第二行地址和内部地址激活。根据命令/地址信号来选择性地生成第一存储体地址和第二存储体地址中的一个。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
暂无信息
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