[发明专利]一种溴化插层导电聚吡咯材料及其制备方法在审
| 申请号： | 202010256411.2 | 申请日： | 2020-04-02 |
| 公开（公告）号： | CN111334040A | 公开（公告）日： | 2020-06-26 |
| 发明（设计）人： | 朱晓;张钦 | 申请（专利权）人： | 汉中木头人科技信息咨询有限公司 |
| 主分类号： | C08L79/04 | 分类号： | C08L79/04;C08K9/04;C08K3/04;C08K5/37;C08K13/06;C08G73/06 |
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| 地址： | 723000 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种溴化插层导电聚吡咯材料，它是由下述重量份的原料组成的：吡咯100‑110、三氯化铁2‑3、乳糖酸钙1‑2、油酸3‑4、2‑硫醇基苯骈咪唑0.8‑1、三乙胺2‑4、二月桂酸二丁基锡0.1‑0.2、硬酯酸单甘油酯0.5‑1、导电添加剂3‑5，本发明胺化导电分散液为溶液，在氧化剂作用下聚合，得到溴化插层导电聚吡咯材料，通过本发明的方法处理得到的成品，能够实现乙炔炭黑在聚吡咯间的分散性能，从而提高成品的力学稳定性强度和导电性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 溴化插层 导电 吡咯 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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