[发明专利]一类富含POSS衍生硅羟基的多孔杂化聚合物及其制备方法与催化应用有效
申请号: | 202010234790.5 | 申请日: | 2020-03-30 |
公开(公告)号: | CN111454455B | 公开(公告)日: | 2022-04-12 |
发明(设计)人: | 张盛旗;陈国建;张亚东;许清琳;刘珂;黄蕊;张珂 | 申请(专利权)人: | 江苏师范大学 |
主分类号: | C08G77/388 | 分类号: | C08G77/388;C08G77/38;C08G77/04;B01J31/06;B01J35/10;C07D317/34 |
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地址: | 221009 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: |
一类富含POSS衍生硅羟基的多孔杂化聚合物,其结构式如下式之一所示,其由刚性的构筑单元乙烯基POSS分别与三(4‑溴苯)胺或四(4‑溴苯)甲烷通过Heck反应而制得。由于制备的多孔杂化聚合物具有大的比表面积,丰富的介孔孔隙以及原位衍生的Si‑OH活性基团,N‑PHPs和C‑PHPs作为非金属非卤素多相催化剂,可在温和条件下实现对二氧化碳的高效催化转化制备高附加值的环状碳酸酯。 |
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搜索关键词: | 一类 富含 poss 衍生 羟基 多孔 聚合物 及其 制备 方法 催化 应用 | ||
【主权项】:
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