[发明专利]一种GaN HEMT器件的热可靠性评估方法在审
| 申请号： | 202010233532.5 | 申请日： | 2020-03-27 |
| 公开（公告）号： | CN111665430A | 公开（公告）日： | 2020-09-15 |
| 发明（设计）人： | 刘胜厚;孟天颖;卢益锋;张辉;蔡仙清 | 申请（专利权）人： | 厦门市三安集成电路有限公司 |
| 主分类号： | G01R31/26 | 分类号： | G01R31/26;H01L29/20;H01L29/778 |
| 代理公司： | 厦门市首创君合专利事务所有限公司 35204 | 代理人： | 张松亭 |
| 地址： | 361000 福建省厦门*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种GaN HEMT器件的热可靠性评估方法，包括如下步骤S1:红外热像仪测试GaN HEMT器件的结温；首先进行器件的发射率校准，读取器件结温，保存器件有源区中间区域温度曲线，S2:求取红外热像仪测试的器件结温的置信区间；S3:利用有限元软件建立三维有限元热模型，并根据红外热像仪测试的器件结温的置信区间校准三维有限元热模型，得到校准后的三维有限元热模型；S4:利用所述校准后的三维有限元热模型，获取器件的结温，热阻，3‑D热分布图至少一种。本发明的评估方法简便，易于操作，且热评估结果更为准确，可对器件结构、材料、工艺给出合理的优化方向。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 gan hemt 器件 可靠性 评估 方法 | ||
【主权项】：
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