[发明专利]宏粒子强化黑曲霉浸出低品位铀矿石中铀的方法有效

专利信息
申请号: 202010217710.5 申请日: 2020-03-25
公开(公告)号: CN111471859B 公开(公告)日: 2021-08-20
发明(设计)人: 李广悦;李芳艳;王永东;孙静;丁德馨;胡南;李峰 申请(专利权)人: 南华大学
主分类号: C22B3/18 分类号: C22B3/18;C22B60/02
代理公司: 衡阳市科航专利事务所(普通合伙) 43101 代理人: 邹小强
地址: 421001 湖*** 国省代码: 湖南;43
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摘要: 宏粒子强化黑曲霉浸出低品位铀矿石中铀的方法,包括如下步骤,首先将待处理低品位铀矿石干破磨并过140目筛后备用;制备用于黑曲霉孢子培养的PDA培养基和用于铀矿浸出的土豆浸粉‑葡萄糖培养基,在PDA培养基上接种黑曲霉孢子培养,制得黑曲霉孢子悬液;将土豆浸粉‑葡萄糖培养基和孢子悬液加入到装有宏粒子的浸矿容器进行恒温振荡培养。然后将无菌矿粉加入土豆浸粉‑葡萄糖培养基浸矿,并控制浸矿条件,对浸矿后的溶液进行固液分离计算出浸出率。本发明通过添加宏粒子来强化真菌浸矿,能够适用于各种类型铀矿、铜矿等的浸出,浸出过程中不添加任何化学试剂,矿石中铀的浸出较不加宏粒子的黑曲霉浸出效率高,工艺流程简单,对环境友好,无二次污染。
搜索关键词: 粒子 强化 曲霉 浸出 品位 铀矿 石中铀 方法
【主权项】:
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