[发明专利]半导体激光器的波导结构在审
| 申请号： | 202010216859.1 | 申请日： | 2020-03-25 |
| 公开（公告）号： | CN113451885A | 公开（公告）日： | 2021-09-28 |
| 发明（设计）人： | 杨国文;唐松 | 申请（专利权）人： | 度亘激光技术(苏州)有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/22 | 分类号： | H01S5/22 |
| 代理公司： | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人： | 付兴奇 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州市工业园区*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种半导体激光器的波导结构，涉及半导体制造的技术领域。本申请的半导体激光器的波导结构包括衬底、下限制层、量子阱、上限制层和脊形成层，所述下限制层设置在所述衬底上；所述量子阱设置在所述下限制层上；所述上限制层设置在所述量子阱上；所述脊形成层设置在所述上限制层上，所述脊形成层包括刻蚀沟槽和脊波导；其中，所述刻蚀沟槽的槽顶宽度为0.5‑5μm。故本申请通过减小刻蚀沟槽的宽度来实现高阶模式的耦合，增大高阶模式的损耗，从而抑制高阶模的激射，保证基模激射的稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体激光器 波导 结构 | ||
【主权项】：
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