[发明专利]一种单晶元件制备系统在审

专利信息
申请号: 202010215137.4 申请日: 2020-03-24
公开(公告)号: CN111246612A 公开(公告)日: 2020-06-05
发明(设计)人: 张辉 申请(专利权)人: 合肥本源量子计算科技有限责任公司
主分类号: H05B6/36 分类号: H05B6/36;H05B6/10;H05B6/06;C30B1/02;C30B29/02
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 230088 安徽省合肥市高新*** 国省代码: 安徽;34
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摘要: 本申请公开了一种单晶元件制备系统,包括:密闭壳体,还包括:电磁加热装置,设置于所述密闭壳体外部,用于提供电磁加热的交变磁场;加热工装,设置于所述密闭壳体内部,内固定有用于通过高温退火生成所述单晶元件的多晶元件;所述加热工装感应所述交变磁场产生热量,且所述电磁加热装置沿着所述加热工装的延伸方向移动。本申请提供的单晶元件制备系统,升温快,温度梯度可控,加快了晶界的延伸速度,提高制备成的单晶元件的效率和质量。
搜索关键词: 一种 元件 制备 系统
【主权项】:
暂无信息
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