[发明专利]一种超低能离子注入方法在审
| 申请号： | 202010214723.7 | 申请日： | 2020-03-24 |
| 公开（公告）号： | CN113451513A | 公开（公告）日： | 2021-09-28 |
| 发明（设计）人： | 狄重安;项兰义;金文龙;申弘光;朱道本 | 申请（专利权）人： | 中国科学院化学研究所 |
| 主分类号： | H01L51/00 | 分类号： | H01L51/00 |
| 代理公司： | 北京知元同创知识产权代理事务所(普通合伙) 11535 | 代理人： | 聂稻波;谢怡婷 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种超低能离子注入方法，所述方法包括如下步骤：S1：在基底上依次形成导电下电极、半导体层、电解质绝缘层和导电上电极；S2：在所述导电上电极和所述导电下电极之间施加电压，所述电解质绝缘层中的离子在电场力的作用下加速并获得能量，由于离子注入时的能量和剂量可以通过电压控制，从而赋予了该方法具有高度可控特点。由于离子注入是非平衡热力学过程，不受热力学限制，因此，所注入离子的种类和浓度不受半导体材料固溶度的限制。所述方法还具有注入的离子单一、纯净和可选择的注入多种离子的优点。所述方法结合非易失性离子注入方法，即将半导体和电解质绝缘层分离，从而阻止离子回流，从而赋予该方法具有非易失性特性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 低能 离子 注入 方法 | ||
【主权项】：
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