[发明专利]一种离子注入后的清洗方法

摘要

本发明提供了一种本发明提供了一种离子注入后的清洗方法，本发明先用稀释后盐酸除去经离子注入后的硅片表面可能残留的金属杂质，然后通过双氧水氧化表面粉末状残留物，氨水同时除去反应物，用稀释的氢氟酸除去表面的氧化物，再通过双氧水清除表面残留的有机物，同时氧化残留的金属杂质，盐酸除去氧化后的金属杂质与碱洗残留的碱，再用稀释后的氢氟酸除去生成的氧化层，最后再用稀盐酸除去金属离子，从而可以基本上完全去除离子注入后在硅片表面残留的磷、氮、氧、炭等杂质，进而消除残留杂质对整个电池结构包括可钝化效果、表面浓度变化及P‑N结质量的影响，得到良好的电池结构。