[发明专利]基准电压产生电路以及半导体装置有效
| 申请号： | 202010212320.9 | 申请日： | 2020-03-24 |
| 公开（公告）号： | CN111752324B | 公开（公告）日： | 2022-09-02 |
| 发明（设计）人： | 谷川博之 | 申请（专利权）人： | 拉碧斯半导体株式会社 |
| 主分类号： | G05F1/46 | 分类号： | G05F1/46;G05F1/575;H01L27/02 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 舒艳君;王海奇 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供即使外部电压变动也能够抑制输出电压的变动的基准电压产生电路以及半导体装置。基准电压产生电路包括：第1二极管(1c)，具有第1导通面积；第2二极管(2c)，具有大于第1导通面积的第2导通面积；生成部(4、3)，使用基于第1二极管(1c)的电压和基于第2二极管(2c)的电压来生成基准电压；以及第1电容5，连接在分压电阻2a、(2b)的连接点N2与生成部(4、3)的输出之间，该分压电阻(2a、2b)连接在生成部(4、3)的输出与第2二极管(2c)之间。 | ||
| 搜索关键词： | 基准 电压 产生 电路 以及 半导体 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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