[发明专利]基于小波密度估计模型改进的半导体激光器退化预测方法有效
| 申请号： | 202010197901.X | 申请日： | 2020-03-19 |
| 公开（公告）号： | CN111368457B | 公开（公告）日： | 2022-05-24 |
| 发明（设计）人： | 林焱辉;丁泽琦 | 申请（专利权）人： | 北京航空航天大学 |
| 主分类号： | G06F30/20 | 分类号： | G06F30/20;G06F17/14;G06F111/10;G06F119/04 |
| 代理公司： | 北京孚睿湾知识产权代理事务所(普通合伙) 11474 | 代理人： | 韩燕 |
| 地址： | 100191*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种基于小波密度估计模型改进的半导体激光器退化预测方法，基于等时间间隔监测得到的半导体激光器的性能参数退化数据，对退化增量的概率分布进行小波密度估计，并建立多种随机过程模型；基于小波变换将建立的多种随机过程中的退化增量概率密度函数用小波线性表示；以小波密度估计为准改进所有小波线性表示从而得到改进后的模型；量化所有改进后的模型与小波密度估计的相似程度，选择其中最相似的模型用于半导体激光器的退化预测。本发明可以改进已有的预测半导体激光器退化的随机过程模型并从多个改进模型中选择出最优的，从而提高了退化预测准确性。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 波密 估计 模型 改进 半导体激光器 退化 预测 方法 | ||
【主权项】：
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