[发明专利]SONOS存储器件的制备方法及SONOS存储器件有效
申请号: | 202010190075.6 | 申请日: | 2020-03-18 |
公开(公告)号: | CN111403402B | 公开(公告)日: | 2023-10-24 |
发明(设计)人: | 王宁;张可钢 | 申请(专利权)人: | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
主分类号: | H10B43/30 | 分类号: | H10B43/30;G11C16/04 |
代理公司: | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人: | 黎伟 |
地址: | 201203 上海市浦东*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本申请公开了一种SONOS存储器件的制备方法及SONOS存储器件,属于集成电路制造技术领域。通过本申请提供的制备方法制备得到的SONOS存储器件,由于两个相对设置的L型ONO层共用位线,且位于外侧的选择管栅靠近SONOS存储器件的源端,因此该SONOS存储器件可以使用源端热载流子注入进行写入,相对于相关技术中提供的SONOS存储器件采用FN隧穿方式进行写入具有更低的操作电压,从而提高了器件的可靠性。 | ||
搜索关键词: | sonos 存储 器件 制备 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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