[发明专利]半导体器件和制造半导体器件的方法在审
| 申请号： | 202010186965.X | 申请日： | 2020-03-17 |
| 公开（公告）号： | CN111739927A | 公开（公告）日： | 2020-10-02 |
| 发明（设计）人： | 姜声珉;金炅泯;金荣睦;禹珉希 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L27/02;H01L21/8234 |
| 代理公司： | 北京市立方律师事务所 11330 | 代理人： | 李娜;王占杰 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供了半导体器件和制造半导体器件的方法。所述方法包括：提供包括第一区域和第二区域的衬底；在所述衬底的所述第一区域中形成第一沟道层；在所述衬底中形成隔离区域，以将所述第一区域的一部分与所述第二区域的一部分电隔离；蚀刻所述衬底的所述第二区域的上表面；形成覆盖所述衬底的所述第一区域中的所述第一沟道层和所述衬底的所述第二区域的保护层；去除所述衬底的所述第二区域上的所述保护层；在所述保护层上和所述衬底的所述第二区域上形成栅极绝缘材料层；以及去除所述衬底的所述第一区域上的所述栅极绝缘材料层和所述保护层。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星电子株式会社，未经三星电子株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202010186965.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：用于气体涡轮引擎的轴承室装置
- 下一篇：适应性束夹持末端执行器
- 同类专利
- 专利分类
