[发明专利]半导体器件的制造方法在审
| 申请号： | 202010174821.2 | 申请日： | 2020-03-13 |
| 公开（公告）号： | CN113394163A | 公开（公告）日： | 2021-09-14 |
| 发明（设计）人： | 许毅胜;罗啸;熊涛 | 申请（专利权）人： | 上海格易电子有限公司;北京兆易创新科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京成创同维知识产权代理有限公司 11449 | 代理人： | 蔡纯;冯丽欣 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新区张江高科技园区郭守敬路4*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请公开了一种半导体器件的制造方法，该制造方法包括：在衬底上形成栅极结构；在衬底中形成掺杂区，掺杂区至少位于栅极结构的一侧；形成覆盖衬底与栅极结构的绝缘结构；去除绝缘结构的第一部分，以便于形成第一凹部，第一凹部自绝缘结构的表面向衬底延伸至第一预设深度且与掺杂区的位置对应；以及经第一凹部去除绝缘结构的第二部分，以便于形成贯穿绝缘结构的第一接触孔，至少部分掺杂区被第一接触孔暴露。通过分步去除绝缘结构的第一部分与第二部分形成了穿过绝缘结构的第一接触孔，降低了形成第一接触孔的工艺难度，使得第一接触孔不仅可以到达衬底，并且保证了第一接触孔的形貌正常，从而提高了器件的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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