[发明专利]高速宽动态范围输入结构

摘要

本公开涉及高速宽动态范围输入结构。公开了一种用于利用以下保护电路输入(VINP)在输入电压(VIN)下免受正过电压和负过电压的影响的输入保护电路(200)和关联方法：高压PMOSFET(P1)，具有栅极、跨齐纳二极管(ZD1)连接到所述栅极的漏极和被连接以接收输入电压的源极；阻断FET(N1)，具有连接到供电电压的栅极、跨齐纳二极管(ZD2)连接到所述供电电压的漏极和连接到所述高压PMOSFET的所述栅极的源极；高压NMOSFET(N3)，具有连接到所述供电电压的栅极、提供受保护的输出电压并且跨齐纳二极管(ZD3)连接到所述栅极的源极和连接到源极跟随器节点的漏极；以及电平移位器电路(214)，连接在所述高压PMOSFET的所述漏极与所述源极跟随器节点之间。