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[发明专利]高速宽动态范围输入结构-CN202010171886.1在审
发明人： W·E·爱德沃兹;J·M·皮古特 -专利权人：恩智浦美国有限公司
申请日： 2020-03-12 - 公布日： 2020-10-09 - 主分类号： H02H9/04 文献下载
摘要：本公开涉及高速宽动态范围输入结构。公开了一种用于利用以下保护电路输入(VINP)在输入电压(VIN)下免受正过电压和负过电压的影响的输入保护电路(200)和关联方法：高压PMOSFET(P1)，具有栅极、跨齐纳二极管(ZD1)连接到所述栅极的漏极和被连接以接收输入电压的源极；阻断FET(N1)，具有连接到供电电压的栅极、跨齐纳二极管(ZD2)连接到所述供电电压的漏极和连接到所述高压PMOSFET的所述栅极的源极；高压NMOSFET(N3)，具有连接到所述供电电压的栅极、提供受保护的输出电压并且跨齐纳二极管(ZD3)连接到所述栅极的源极和连接到源极跟随器节点的漏极；以及电平移位器电路(214)，连接在所述高压PMOSFET的所述漏极与所述源极跟随器节点之间。
高速动态范围输入结构

[发明专利]线上保护免受工艺引发的电介质损坏-CN201811112073.4在审
发明人： W·E·爱德沃兹;B·G·安东尼 -专利权人：恩智浦美国有限公司
申请日： 2018-09-25 - 公布日： 2019-04-02 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明涉及线上保护免受工艺引发的电介质损坏。提供一种在制造期间保护电介质的方法。将导电层图案化以在电介质层的第一部分上形成第一导电形状并在该电介质层的第二部分上形成第二导电形状。在该第二导电形状的至少一部分上形成导电迹线。该导电迹线电连接该第一导电形状与衬底连接件。将互连层耦合到所述第一导电形状。蚀刻该导电迹线以将该第一导电形状与该衬底连接件电隔离。
导电电介质导电迹线电介质层连接件衬底蚀刻导电层图案电隔离电连接互连层耦合到制造