[发明专利]半导体激光器有效
| 申请号： | 202010165677.6 | 申请日： | 2016-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN111431030B | 公开（公告）日： | 2023-02-17 |
| 发明（设计）人： | 斯文·格哈德;艾尔弗雷德·莱尔;克莱门斯·菲尔海利希;安德烈亚斯·莱夫勒;克里斯托夫·艾克勒 | 申请（专利权）人： | 欧司朗光电半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/042 | 分类号： | H01S5/042;H01S5/028;H01S5/16;H01S5/323;H01S5/32 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 张春水;丁永凡 |
| 地址： | 德国雷*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 半导体激光器(1)包括半导体层序列(2)，所述半导体层序列具有n型传导的n型区域(21)、p型传导的p型区域(23)和位于其之间的用于产生激光辐射的有源区(22)。为了注入电流，直接在p型区域(23)处存在由透明导电氧化物构成的对于激光辐射可穿透的p型接触层(3)。直接在p型接触层(3)处安置有导电的且金属的p型接触结构(4)。p型接触层(3)是外罩层的一部分，使得激光辐射在半导体激光器(1)运行时常规地进入到p型接触层(3)中。半导体层序列(2)的两个棱面(25)形成用于激光辐射的谐振器端面。在直接在棱面(25)中的至少一个棱面处的至少一个电流保护区域(5)中，禁止到p型区域(23)中的电流注入。电流保护区域在垂直于所属的棱面(25)的方向上的扩展为至少0.5μm和最高100μm，并且附加地为用于激光辐射的谐振器长度的最高20％。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体激光器 | ||
【主权项】：
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