[发明专利]套刻误差的补偿方法、曝光系统、服务器及可读存储介质在审
申请号: | 202010162595.6 | 申请日: | 2020-03-10 |
公开(公告)号: | CN113376969A | 公开(公告)日: | 2021-09-10 |
发明(设计)人: | 董鹏 | 申请(专利权)人: | 长鑫存储技术有限公司 |
主分类号: | G03F7/20 | 分类号: | G03F7/20;G03F9/00 |
代理公司: | 上海晨皓知识产权代理事务所(普通合伙) 31260 | 代理人: | 成丽杰 |
地址: | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | 本发明实施例涉及半导体技术领域,公开了一种套刻误差的补偿方法、曝光系统、服务器及可读存储介质。本发明中,套刻误差的补偿方法应用于晶圆,包括:获取已曝光晶圆的套刻误差;将所述已曝光晶圆划分为若干区域;根据各所述区域对应的套刻误差分别计算各所述区域对应的补偿值;利用所述补偿值分别对待曝光晶圆的相应区域进行补偿。本发明提供的套刻误差的补偿方法、曝光系统、服务器及可读存储介质,能够提高晶圆的套刻误差补偿精度,提高产品良率。 | ||
搜索关键词: | 误差 补偿 方法 曝光 系统 服务器 可读 存储 介质 | ||
【主权项】:
暂无信息
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