[发明专利]一种SiC纳米阵列的电化学刻蚀法制备工艺在审
| 申请号： | 202010158248.6 | 申请日： | 2020-03-09 |
| 公开（公告）号： | CN113380616A | 公开（公告）日： | 2021-09-10 |
| 发明（设计）人： | 牛昌明;杨为佑 | 申请（专利权）人： | 江苏尚今光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3063 | 分类号： | H01L21/3063;C30B33/10;C30B29/36;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 北京科家知识产权代理事务所(普通合伙) 11427 | 代理人： | 艾秀丽 |
| 地址： | 225600 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种SiC纳米阵列的电化学刻蚀法制备工艺，选取N掺杂的4H‑SiC单晶片为原料，切割为多片小晶片A；将氢氟酸与无水乙醇按照一定比例混合得到混合液B；将氢氟酸、乙醇和过氧化氢按一定比例混合，得到混合液C；将小晶片A清洗10‑15min，去除表面杂质；将小晶片A置入混合液B中浸泡2‑5min，去除表面氧化物；将小晶片A干燥10‑20min；将干燥好的小晶片A作为阳极，石墨片作为阴极，放入混合液C中，用15‑20V脉冲电源进行刻蚀。通过采用以上技术方案，可以在常温常压的条件下，实现对SiC纳米阵列的制备。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 sic 纳米 阵列 电化学 刻蚀 法制 工艺 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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