[发明专利]在基体表面制备含Si/Six有效

专利信息
申请号: 202010155421.7 申请日: 2020-03-09
公开(公告)号: CN111235570B 公开(公告)日: 2022-11-08
发明(设计)人: 王静;王宁;侯保荣;戈成岳;李红玲 申请(专利权)人: 中国科学院海洋研究所
主分类号: C23C28/04 分类号: C23C28/04;C23C14/35;C23C14/16;C23C16/50;C23C16/34;C23C14/02;C23C16/02
代理公司: 沈阳科苑专利商标代理有限公司 21002 代理人: 李颖
地址: 266071 *** 国省代码: 山东;37
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摘要: 发明属于表面改性领域,具体的说是涉及一种Si/SixNy梯度改性膜及其在基体表面沉积梯度改性膜的方法。采用磁控溅射技术,在处理后的基体表面上沉积硅过渡层;然后利用磁控溅射和化学气相沉积相结合于过渡层表面沉积Si/Si3N4梯度层,即于基体表面形成含Si/SixNy梯度的改性膜。本发明改性膜可以应用于铜、铝等软质金属,所制备的含Si/SixNy梯度的改性膜均匀、致密,能够显著提高金属基体的硬度、耐磨损以及耐腐蚀性能。
搜索关键词: 基体 表面 制备 si base sub
【主权项】:
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