[发明专利]可控制薄膜成分的镶嵌靶材实验设计方法有效
| 申请号： | 202010123673.1 | 申请日： | 2020-02-27 |
| 公开（公告）号： | CN111206216B | 公开（公告）日： | 2022-01-25 |
| 发明（设计）人： | 杨成韬;孙贤;谢易微 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | C23C14/06 | 分类号： | C23C14/06;C23C14/35;G01B5/20 |
| 代理公司： | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人： | 敖欢 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明提供一种可控制薄膜成分的镶嵌靶材实验设计方法，根据磁场仿真得到靶材表面不同位置的磁场分布，以此来排列镶嵌孔在靶材上的位置，从而制备均匀性c轴取向AlN薄膜，并理论计算掺杂薄膜的含量；包含以下步骤：(1)根据磁场仿真计算靶材表面不同位置的磁场分布；(2)利用废旧靶材，测量靶材表面由于磁控溅射而凹下去的部分所形成的刻蚀跑道，记录凹陷位置高度沿径向的变化曲线；(3)比较磁场分布图和靶材表面刻蚀轨道，安排镶嵌孔的位置，并求得薄膜中Sc、Er、Al原子的理论含量。本发明使用镶嵌靶可实现多种元素掺杂，并能够准确控制和计算所沉积薄膜成分，相比传统合金靶能够实现掺杂浓度的调控，制备高度均匀一致性薄膜。 | ||
| 搜索关键词： | 控制 薄膜 成分 镶嵌 实验设计 方法 | ||
【主权项】：
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