[发明专利]一种提高回音壁模式共振腔Q值的二氧化硅微球制作方法有效
| 申请号： | 202010122649.6 | 申请日： | 2020-02-27 |
| 公开（公告）号： | CN113311542B | 公开（公告）日： | 2022-09-23 |
| 发明（设计）人： | 蔡露;潘俊尧;赵勇;蔡忆 | 申请（专利权）人： | 东北大学秦皇岛分校 |
| 主分类号： | G02B6/293 | 分类号： | G02B6/293;G02B6/255 |
| 代理公司： | 中国商标专利事务所有限公司 11234 | 代理人： | 姜司晨 |
| 地址： | 066004 河北省秦*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种提高回音壁模式共振腔Q值的二氧化硅微球制作方法，应用于回音壁模式共振腔检测技术，属于光学检测技术领域；其易于实现，可制作出结构简单、能有效提高回音壁模式微球腔品质因子；其先将一段包层直径125μm，纤芯直径8.2μm的单模光纤中间剥去5cm涂覆层，用酒精擦拭后放置于熔接机夹持器中，修改熔接程序，在电弧放电的同时使夹持器电机向两侧移动，制作出锥区长度约600‑800μm的短锥，锥腰直径范围在50‑80μm；随后用切割刀在锥形光纤一端留有一定距离的位置切开，留下锥区端头，将其再次放置于熔接机中，利用电弧放电瞬间释放的热量使端头的一段光纤与锥区的过渡区成为熔融状态,因表面张力作用而自然成为球体。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 回音壁 模式 共振 二氧化硅 制作方法 | ||
【主权项】：
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