[发明专利]一种非制冷超宽光谱光电转换器及阵列探测器在审
申请号: | 202010119195.7 | 申请日: | 2020-02-27 |
公开(公告)号: | CN111403507A | 公开(公告)日: | 2020-07-10 |
发明(设计)人: | 吴东 | 申请(专利权)人: | 苏州东薇极光信息科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/032 | 分类号: | H01L31/032;H01L31/0216;H01L31/0224;H01L31/102;H01L23/36 |
代理公司: | 杭州知学知识产权代理事务所(普通合伙) 33356 | 代理人: | 何红信 |
地址: | 215000 江苏省苏州市高*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本公开提供了一种非制冷超宽光谱光电转换器及阵列探测器,旨在解决现有技术中光电转换工质的材料,无法兼具覆盖波长范围宽和灵敏度的问题。非制冷超宽光谱光电转换器,包括绝缘基底、光电转换工质、感光端电极和冷端电极;光电转换工质为三维狄拉克半金属。非制冷超宽光谱阵列探测器,由若干个非制冷超宽光谱光电转换器集成而成。光电转换工质采用三维狄拉克半金属:光电转换探测器同时具有光电和光热电复合效应,可以感光的范围包含紫外、可见、近红外、中红外、远红外、太赫兹波段,可以感光超宽的光谱;且有较高的灵敏度。三维狄拉克半金属作为光电转换工质,可以直接利用光电转换工质材料本身作为吸光媒质,从而提高探测器光响应度和速度。 | ||
搜索关键词: | 一种 制冷 光谱 光电 转换器 阵列 探测器 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的