[发明专利]一种BJT器件结构在审
| 申请号： | 202010116242.2 | 申请日： | 2020-02-25 |
| 公开（公告）号： | CN111211166A | 公开（公告）日： | 2020-05-29 |
| 发明（设计）人： | 周晓君;王海涛 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/73 | 分类号： | H01L29/73;H01L29/08 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种BJT器件结构，N阱；位于N阱上的P+区；位于P+区上的阻挡层结构，该阻挡层结构为覆盖于P+区上的外围框型结构以及位于该外围框型结构内与外围框型结构连接的相互间隔排布的条形结构；位于P+区上非阻挡层结构区域的金属硅化物，该金属硅化物覆盖于P+区上形成BJT器件的发射极的欧姆接触；位于N阱两侧的基极；位于基极两侧的集电极。本发明的BJT器件结构由于发射极金属硅化物为不连续结构，可以显著降低流入基区的电流，从而有效的改善BJT器件的放大系数，将放大系数提高60％。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 bjt 器件 结构 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华力集成电路制造有限公司，未经上海华力集成电路制造有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202010116242.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
