[发明专利]微波电容传感器及被测物介电特性和绝对位置的测量方法在审
申请号: | 202010111600.0 | 申请日: | 2020-02-24 |
公开(公告)号: | CN111141796A | 公开(公告)日: | 2020-05-12 |
发明(设计)人: | 张洮 | 申请(专利权)人: | 张洮;李赞 |
主分类号: | G01N27/22 | 分类号: | G01N27/22;G01R27/26;G01B7/28 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 201210 上*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 一种微波电容传感器,包括传感器探头,微波阻抗转换电路,电磁屏蔽壳,传感器连接端。探头可以不接触被测物,将微波信号施加到被测物并接受被测物的反射微波信号。测量传感器连接端的复阻抗,由微波阻抗转换电路的微波网络特性计算探头的复阻抗。基于探头与被测物在应用场景下的电磁场模型,由探头的复阻抗和位置参数确定被测物物质性质参数或探头距离被测物的绝对位置。探头阻抗可以用于反馈控制探头距离被测物的绝对位置。解决了高分辨率的光学测试技术不能检测样品物质性质;传统的测试介电参数的技术很难用于显微系统,探头需要接触被测物;传统的电容传感器工作在低频,不能同时用于绝对位置和材料介电参数测试等问题。 | ||
搜索关键词: | 微波 电容 传感器 被测物介电 特性 绝对 位置 测量方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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