[发明专利]一种高导热Si3在审

专利信息
申请号: 202010107748.7 申请日: 2020-02-21
公开(公告)号: CN111285692A 公开(公告)日: 2020-06-16
发明(设计)人: 李俊国;陈杨;沈强;李美娟 申请(专利权)人: 武汉理工大学
主分类号: C04B35/584 分类号: C04B35/584;C04B35/645
代理公司: 武汉科皓知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 42222 代理人: 石超群
地址: 430070 湖*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 发明涉及陶瓷技术和电子材料领域,特别涉及一种高导热Si3N4陶瓷及其制备方法。高导热Si3N4陶瓷,按重量份计算,由95‑98份Si3N4粉和2‑5份烧结助剂经加压烧结和高温退火而成,所述烧结助剂包括2‑5份的Mg2Si和0‑0.5份的C。本发明解决现有Si3N4陶瓷强度高而热导率较低、热导率高而强度低、烧结温度高、退火温度高、烧结助剂添加量过多的问题。可以在较低的温度下制备出致密、力学性能优异的Si3N4陶瓷经过退火处理后热导率高达110W·m‑1·K‑1,维氏硬度可达16.2‑17.8GPa,抗弯强度高达753‑846MPa,断裂韧性为8.61‑9.57MPa·m1/2
搜索关键词: 一种 导热 si base sub
【主权项】:
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