[发明专利]一种磁感应器件及其制造方法在审
| 申请号： | 202010106355.4 | 申请日： | 2020-02-21 |
| 公开（公告）号： | CN111192738A | 公开（公告）日： | 2020-05-22 |
| 发明（设计）人： | 伍荣翔;吕桄甫 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01F17/00 | 分类号： | H01F17/00;H01F27/28;H01F41/04;H01F41/12 |
| 代理公司： | 电子科技大学专利中心 51203 | 代理人： | 吴姗霖 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 一种磁感应器件及其制造方法，包括衬底、第一金属层、第一绝缘层和第二金属层；所述衬底的第一表面开设有至少一个第一凹槽，所述第二金属层、第一绝缘层、第一金属层依次设置于所述至少一个第一凹槽内；所述第一绝缘层设置于所述第一金属层和第二金属层之间。本发明通过在凹槽内设置多层金属层，在不增加金属线条厚度/宽度比值的前提下，增加了金属线条的有效截面积，进而降低了磁感应器件的交流电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 感应 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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