[发明专利]块状SiC单晶的生成方法及其生长装置在审
| 申请号： | 202010103260.7 | 申请日： | 2020-02-19 |
| 公开（公告）号： | CN111593401A | 公开（公告）日： | 2020-08-28 |
| 发明（设计）人： | 伯恩哈德·埃克;拉尔夫·穆勒;马提亚斯·施托克迈尔;米哈伊尔·沃格尔;阿恩德-迪特里希·韦伯 | 申请（专利权）人： | 硅晶体有限公司 |
| 主分类号： | C30B23/00 | 分类号： | C30B23/00;C30B29/36 |
| 代理公司： | 北京博雅睿泉专利代理事务所(特殊普通合伙) 11442 | 代理人： | 石伟 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 用于生成至少一个块状SiC单晶(2)的方法，其中，将至少一个SiC籽晶(8)放置在生长坩埚(3)的晶体生长区域(5)中；并且将SiC源材料(6)引入到SiC储层区域(4)，并且通过沉积从SiC生长气相中，生长出块状SiC单晶(2)。生长坩埚(3)由绝缘层(10)围绕，绝缘层(10)以旋转对称的方式在中央中间纵轴(14)的方向上轴向延伸，并且具有至少两个绝缘筒体部件(19,20)；至少两个绝缘筒体部件(19,20)以一个在另一个内部的方式彼此同心布置，其中绝缘层(10)在概念上被分成绝缘环段(29)，绝缘环段(29)继而在概念上被分成体积元件，并且每个绝缘环段具有平均绝缘环段密度。 | ||
| 搜索关键词： | 块状 sic 生成 方法 及其 生长 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于硅晶体有限公司，未经硅晶体有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202010103260.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
