[发明专利]一种高荧光强度的二硫化钼量子点的制备方法在审
| 申请号： | 202010098606.9 | 申请日： | 2020-02-18 |
| 公开（公告）号： | CN111204809A | 公开（公告）日： | 2020-05-29 |
| 发明（设计）人： | 胡先运;金彩虹;邓文江;孟铁宏;赵宏斌 | 申请（专利权）人： | 黔南民族医学高等专科学校 |
| 主分类号： | C01G39/06 | 分类号： | C01G39/06;C09K11/68;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 北京汇捷知识产权代理事务所(普通合伙) 11531 | 代理人： | 张丽 |
| 地址： | 558000 贵州省黔南布依族*** | 国省代码： | 贵州;52 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种高荧光强度的二硫化钼量子点的制备方法，包括以下步骤：(1)精密称取0.1250g钼酸钠，溶于12.5ml二重蒸馏水中，超声处理5min；(2)滴加0.1mol/L HCL调节至PH＝7；(3)加入0.2500g谷胱甘肽和20ml二重蒸馏水，超声10min；(4)将溶液转移至50ml反应釜中，200℃反应36h；(5)冷却到室温后，反应液以12000r/min离心40min,得到黄色上清液，即MOS |
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| 搜索关键词： | 一种 荧光 强度 二硫化钼 量子 制备 方法 | ||
【主权项】：
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