[发明专利]氧化物基电子突触器件及其阵列在审
| 申请号： | 202010096147.0 | 申请日： | 2020-02-17 |
| 公开（公告）号： | CN111276603A | 公开（公告）日： | 2020-06-12 |
| 发明（设计）人： | 尚大山;李悦;刘琦;刘明;刘宇 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L27/10 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 吴梦圆 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种氧化物基电子突触器件及其阵列，该器件包括源电极、漏电极和栅电极；沟道层，形成于所述源电极和漏电极之间，为固态氧化物材料；以及电解质层，作为栅介质而形成于所述沟道层和栅电极之间，为离子导通而电子绝缘的固态电解质材料。本发明的器件能够很好的模拟生物突触功能，同时具有多态可调，高度线性、对称等优点，由其大规模集成的阵列能够为构建人工神经网络提供了器件基础。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化物 电子 突触 器件 及其 阵列 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院微电子研究所，未经中国科学院微电子研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202010096147.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种基于双眼融合的虹膜识别神经网络模型训练方法
- 下一篇：一种智能试衣系统
