[发明专利]一种提高3D CT TLC NAND闪存存储设备可靠性的方法在审
| 申请号： | 202010086332.1 | 申请日： | 2020-02-11 |
| 公开（公告）号： | CN111258507A | 公开（公告）日： | 2020-06-09 |
| 发明（设计）人： | 吴佳;李礼;陈佳;苗诗君;余云;杨冀;叶韬;刘碧贞 | 申请（专利权）人： | 上海威固信息技术股份有限公司 |
| 主分类号： | G06F3/06 | 分类号： | G06F3/06 |
| 代理公司： | 上海海贝律师事务所 31301 | 代理人： | 王文锋 |
| 地址： | 201702 上海市青*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种提高3D CT TLC NAND闪存存储设备可靠性的方法,是基于3D CT TLC NAND闪存存储结构的字线寿命在空间上分布的层间集中特性以及各闪存页寿命间显著的差异提出的。当闪存块中出现失效页时，区别于传统坏块管理算法将整块置坏的管理方法，本发明仅将闪存块中该失效页所在层内的闪存页标记为坏页，块中其他层的闪存页仍可继续使用，提高了存储设备存储空间的利用率及存储设备的寿命。与传统坏块管理算法相比，本发明可以有效地避免存储空间利用率低的情况，并能够显著提高3D CT TLC NAND闪存存储设备的寿命。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 ct tlc nand 闪存 存储 设备 可靠性 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海威固信息技术股份有限公司，未经上海威固信息技术股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202010086332.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
