[发明专利]光刻用护膜膜在审
| 申请号： | 202010084565.8 | 申请日： | 2020-02-10 |
| 公开（公告）号： | CN111610692A | 公开（公告）日： | 2020-09-01 |
| 发明（设计）人： | 金泰俊 | 申请（专利权）人： | 三星显示有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/48 | 分类号： | G03F1/48;G03F1/62 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 全振永;李盛泉 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 根据一实施例的光刻用护膜膜，其中，包括：具有第一厚度的第一膜以及位于所述第一膜上并具有第二厚度的第二膜，所述第一厚度和所述第二厚度互不相同，所述第一厚度以及所述第二厚度之差在所述第一厚度的5％以内，所述第一膜的透射率曲线以及所述第二膜的透射率曲线具有170度至190度的相位差。 | ||
| 搜索关键词： | 光刻 用护膜膜 | ||
【主权项】：
暂无信息
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
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