[发明专利]可编程可抹除的非易失性存储器有效

专利信息
申请号: 202010081712.6 申请日: 2020-02-06
公开(公告)号: CN111696607B 公开(公告)日: 2022-05-17
发明(设计)人: 孙文堂;陈学威;黎俊霄;陈纬仁;廖弘毅 申请(专利权)人: 力旺电子股份有限公司
主分类号: G11C16/04 分类号: G11C16/04;G11C16/14;G11C16/26;H01L27/11517;H01L27/11521
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 李芳华
地址: 中国台湾新*** 国省代码: 台湾;71
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摘要: 一种可编程可抹除的非易失性存储器,包括存储单元阵列与感测电路。存储单元阵列中包括通用存储单元与参考存储单元皆连接至字线。该感测电路包括电流比较器。该通用存储单元的编程效率与抹除效率大于该参考存储单元的该编程效率与该抹除效率。于读取动作且该字线动作时,该通用存储单元产生读取电流至该电流比较器,该参考存储单元产生参考电流至该电流比较器。该电流比较器根据该参考电流以及该读取电流来输出数据信号用以指出该通用存储单元的储存状态。
搜索关键词: 可编程 非易失性存储器
【主权项】:
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