[发明专利]半导体器件和制造半导体器件的方法在审
| 申请号： | 202010080726.6 | 申请日： | 2020-02-05 |
| 公开（公告）号： | CN111554744A | 公开（公告）日： | 2020-08-18 |
| 发明（设计）人： | 森隆弘 | 申请（专利权）人： | 瑞萨电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 李辉;董典红 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本申请涉及半导体器件和制造半导体器件的方法。一种半导体器件，包括半导体衬底，该半导体衬底包括具有第一表面和第二表面的第一外延层、第二外延层、形成为穿过第一外延层和第二外延层的掩埋区域以及栅极电极。第二外延层包括漏极区域、源极区域、体区域、漂移区域、第一区域和第二区域。第一区域至少形成在漏极区域下方。第二区域在沟道长度方向上具有第一端和第二端。第一端在沟道长度方向上位于体区域和漏极区域之间。第二区域从第一端朝向第二端延伸，使得第二端至少延伸到源极区域下方。第二区域的杂质浓度大于第一区域的杂质浓度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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